退火后的样品铁磁性居里温度高达280K，源于其铁磁性源自Si0.25Ge0.75晶格中的Mn掺杂替代，并因拉伸应变而得到增强。
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对于对应于最低摩尔纹子带半跃的电子密度，小题我们观察到强层伪自旋顺磁性，小题这通过在施加小的垂直电场的情况下将全部（约1,500个）电子从一个二硒化钼层突然转移到另一层来证明。相反，源于它们是通过一系列尖锐的相变填充的，这些相变表现为摩尔纹晶格整形附近电子可压缩性的强烈不对称跳跃。
实验观察到在两层α相三氧化钼（α-MoO3）中，小题当层之间的旋转处于光子魔术扭曲角时会发生从开放（双曲线）到封闭（椭圆）色散轮廓的可调拓扑过渡。但是，源于由于与基材的牢固结合，在生长过程中总是会形成皱纹，并且这些皱纹限制了薄膜的大规模均匀性。